離子源
OIS-ES
電子源
其高電流密度在提高等離子體密度和防止等離子體工藝充電方面非常有效。 長時(shí)間的穩(wěn)定性能,通過RF激發(fā)實(shí)現(xiàn)的氧氣工藝污染少,可以同時(shí)控制兩個(gè)蒸發(fā)源。
- Specifications
- 中和器 RFN-3A
- 電流 3000mA
- 最大射頻功率 150W
- 控制器 OIS-ESC
- 中和器直流電 OISN-Ⅱ
- 中和器射頻 AX300Ⅲ (300W)
其高電流密度在提高等離子體密度和防止等離子體工藝充電方面非常有效。 長時(shí)間的穩(wěn)定性能,通過RF激發(fā)實(shí)現(xiàn)的氧氣工藝污染少,可以同時(shí)控制兩個(gè)蒸發(fā)源。