離子源
OIS-Four
OIS-Four是光馳自行開發(fā)的離子輔助蒸度高性能射頻（RF）離子源，適于在高速率下的離子束輔助沉積（IAD）及清洗。柵網(wǎng)口徑雖然只有10CM，但是設(shè)計上充分考慮到高電流密度，均一性，搭載在光馳的成膜設(shè)備OTFC-600,OTFC-900進行工件架的全面照射，適于各種光學(xué)濾光片的中規(guī)模量產(chǎn)，試制，研究開發(fā)。
- 特征
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同使用燈絲型的離子源比較，壽命長，污染少。
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高離子電流密度和均勻分布，照射面積能達到Ф800mm以上
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動作安定性高，能長時間運轉(zhuǎn)
- 規(guī)格
- 尺寸 φ 224mm ×143mm (H)
- 柵網(wǎng)尺寸 Ф 10cm(Molybdenum制3枚)
- 離子束電壓 100V～1500V
- 離子束電流 500mA(max)
- Acc電壓 100V～1000V
- RF功率 600W(max)
- 氣體流量 25sccm～35sccm（氬氣）10sccm～20sccm（氬氣）
- 使用壓力 5.0 ×10-2 Pa
- 水冷方式 RF線圈和本體
- 中和器規(guī)格
- 尺寸 φ 6cm × 8cm
- 發(fā)射電流 1500mA(max)
- RF功率 150W(max)
- 氣體流量 5sccm～8sccm（氬氣）
